据报道，美国得克萨斯大学的工程师们创造了有史以来最小的记忆存储设备之一，由一种二维材料制成，横截面面积只有一平方纳米。这种被称为“原子电阻”的装置是通过单个原子的运动来工作的，这将为具有难以置信的信息密度的更小的记忆系统铺平道路。

　　这种新设备属于一类新兴的电子器件，称为记忆电阻（Memristors），它使用电阻开关存储数据。从本质上讲，当某种材料暴露在一定的电压下时，其电阻可以切换，变得更强或更弱。这种现象可用于将数据写入设备，随后可测量其相对电阻以“读取”存储的数据。在这种情况下，这种电阻开关是通过单原子移入和移出纳米级孔来处理的，这将改变材料的导电性。有关材料是二硫化钼，这一概念也应该适用于一系列类似的材料。

　　研究人员表示，缩放的科学圣杯是下降到一个原子控制记忆功能的水平。该团队表示，新装置是有史以来最小的原子存储器单元。二硫化钼被制作成尺寸为1×1nm的薄片，厚度只有一个原子。如果要扩大规模，它可以用来制造每平方厘米约25TB的存储容量的芯片，这比目前的闪存所能提供的容量高100倍左右。它运行所需的能量也更少。

　　此项研究成果为开发未来一代应用铺平了道路，.如超密集存储、神经形态计算系统、射频通信系统等。

　　（摘编自 中国电子元件行业协会）