12月29日，台积电发布公告称将在台湾南部科学园（STSP）的18号晶圆厂举行3nm量产扩展仪式。台积电表示，公司为3nm技术和产能扩充奠定了坚实的基础，位于STSP的18号晶圆厂作为公司生产5nm和3nm制程技术的GIGAFAB工厂。台积电宣布3nm技术已成功进入量产，并取得了良好的产量，并为其Fab 18的8期工厂举行了封顶仪式。据台积电估计，3nm技术将在5年的量产时间内创造出1.5万亿美元市值的终端产品。

　　台积电18号晶圆厂1至8期的洁净室面积均为58000平方米，约为标准逻辑晶圆厂的两倍。台积电对18号晶圆厂的总投资将超过1.86万亿元新台币。除了在台湾扩大3nm产能外，台积电还在亚利桑那州建设3nm产能。台积电的3nm制程在功率、性能、面积（PPA）和晶体管技术上都是最先进的半导体技术，是从5nm一代开始的全节点进步。与5nm工艺相比，台积电的3nm工艺在相同速度下可提供高达1.6倍的逻辑密度增益和30-35%的功耗降低，并支持台积电创新的FINFLEX架构。

　　除此之外，台积电也正在计划筹备其2nm晶圆厂，这些晶圆厂将位于新竹和台湾中部的科技园区，总共六个阶段按计划进行。台积电董事长刘马克博士表示，台积电在保持技术领先地位的同时，正在采取具体行动开发先进技术，扩大产能。台积电将通过整合供应链，培养从设计到制造、封装和测试、设备和材料的未来人才，以提升公司先进制程技术的竞争力并推动未来技术的创新。

　　                                                                                                                                                                                      （摘编自 维科网）