据麦姆斯咨询报道，印度理工学院马德拉斯分校（IIT Madras）的研究人员与印度国防研究与发展组织（DRDO）的科学家合作，面向国防应用（特别是海军应用）开发了一种用于水下通信的先进压电声学传感器。

　　压电MEMS工艺技术的主要挑战是恶劣水下环境、高压和海水腐蚀性环境中所需要的高可靠性和耐用性。联合研究团队首先成功开发了压电MEMS工艺，利用压电MEMS工艺制备出高性能薄膜，并将这种压电薄膜转化为最先进的未来海军传感器和水下应用器件，可用于完整制造声学传感器，并且不会降低压电薄膜的性能。所制备的PZT薄膜声学传感器，相比传统聚偏二氟乙烯（PVDF）基传感器表现出了更高的性能。压电薄膜是压电MEMS器件的重要组成部分，可用于声学和振动传感应用。这项压电MEMS技术的本土开发，填补了印度水下应用压电MEMS声学传感器的技术空白。该研究采用射频溅射和溶胶-凝胶技术制备了4英寸（直径100 mm）压电薄膜，具有良好的均匀性和较高的压电性能。

　　在全球范围内，美国、欧洲、韩国、日本和中国的许多研究小组和国防实验室都投入了压电技术的开发。多家压电MEMS代工厂正在生产面向国防和民用应用的各种压电MEMS器件。目前，基于压电薄膜的压电器件市场规模约50亿美元，预计未来3~4年该市场将以12%的复合年均增长率（CAGR）增长。

　　DRDO和学术界合作的成果促进成了这项新技术的发展，这对印度海军来说是至关重要的使能技术。尖端压电MEMS技术的开发，将有力支撑印度的国防能力，能够执行关键应用的战略行动。大面积压电薄膜和MEMS工艺技术，可为印度海军DRDO下一代SONAR计划正在进行及未来的技术提供支持。

　　                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                 （摘编自 麦姆斯咨询）