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牢记嘱托 感恩奋进 | 产业基础研究院迈出科技自立自强坚实步伐

来源:     作者:张洁     发布时间:2025年05月11日     浏览次数:         

  题记:将创新伟力铭刻于奔腾不息的时代浪潮,将殷殷嘱托熔铸进日夜拼搏的奋进征程。以敢为人先的魄力向科技巅峰发起冲锋,以舍我其谁的担当在技术前沿开疆拓土。

  2023年5月12日,习近平总书记亲临中国电科产业基础研究院考察调研时指出,加快建设科技强国是全面建设社会主义现代化国家、全面推进中华民族伟大复兴的战略支撑,必须瞄准国家战略需求,系统布局关键创新资源,发挥产学研深度融合优势,不断在关键核心技术上取得新突破。他勉励科技工作者再接再厉、勇攀科技高峰,不断攻克前沿技术,打造更多科技自立自强的大国重器。

  嘱托,声声入耳;前行,力量倍增。

  产业基础研究院深入学习贯彻习近平总书记重要讲话精神,牢记“国之大者”,加快提升战略能力,立足产业基础,聚焦科研前沿,加快推进先进材料、高端芯片、核心元器件、集成电路等领域关键核心技术攻关,不断抢占科技竞争和未来产业制高点,着力增强核心功能和提高核心竞争力,用一项项“从0到1”的原创突破,一件件“从有到优”的大国重器,谱写了矢志创新的担当篇章。

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瞄准国家战略需求,科技创新日新月异

  面对纷繁复杂的外部形势,产业基础研究院主动适应新形势、研究新情况、探索新规律,强化顶层设计和体系攻关,推动重大科技成果不断涌现。量子级联激光器(QCL)外延材料研发领域开创性地构建了多维协同创新范式,率先实现了室温连续波模式下的颠覆性跨越,单模最大功率取得重大突破,为多个战略领域提供革命性光源解决方案。开发出8英寸碳化硅衬底的氮化镓高电子迁移率晶体管外延技术,创新应力调控与生长动力学优化技术,实现了表面光亮无裂纹的外延层。大功率GaN功率芯片与Si基幅相多功能芯片异构集成技术、星间光通信核心光电器件自主研发、无线电侦测技术与宽带高功率噪声干扰技术等技术相继取得重要进展。我们以“创”的智慧,在微电子、光电子、MEMS芯片技术领域不断突破,在创新发展的时代画卷上镌刻鲜明的奋斗足迹。

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系统布局创新资源,重大任务勇毅前行

  “5、4、3、2、1,点火!”从神舟二十号成功发射、神舟十九号顺利返回,到嫦娥六号首次月背采样,每次航天任务“使命必达”,都离不开研究院的“硬核支撑”。我们深度参与载人航天、探火探月、北斗组网等重大工程任务,突破深空测控、天地通信、新型能源等关键技术,有力保障航天器精准入轨、高速对接、天地通话,确保航天器“飞得稳、对得准、听得清、望得远”,支撑我国航天事业阔步前进。以需求为牵引,强化提升应急生产、精准交付能力,攻克大功率微波器件、毫米波T/R和高精度组合导航系统等一大批事关新质战斗力生成的尖端技术,助力装备升级换代。我们以“拼”的精神,助力大国重器问鼎苍穹,护航新质战斗力加速生成,为国防现代化建设提供坚强支撑。

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不断攻克前沿技术,培育发展新质生产力

  向新而行,开拓进取,踊跃承担互联网卫星、商业航天等关键载荷配套研制,面向5G/5G-A基站,氮化镓功放、光通信外壳市场占有率继续保持国内第一、世界第二,向低空经济发力,惯性导航系统批量应用于无人机。为“聪明车”装上“智慧眼”,MEMS传感器助力新能源汽车实现不间断厘米级定位精度,对自动驾驶汽车“全天候”精确定位定向。400G/800G数据中心用光接收芯片年发货量首次突破1.5亿颗大关,加速高端光电芯片在AI领域产业化应用。我们以“实”的干劲,在新赛道上加速领跑、在新机遇中乘势而上,全面激活新质生产力的发展活力。

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民品产业突飞猛进,改革发展朝气蓬勃

  聚焦主责主业,以技术突破引领产业升级。在核心元器件领域,RISC-V开源架构微控制器、高功率三模可重构器件等关键技术取得重大突破;在先进材料方向,大尺寸半导体材料研发进展显著,成功研制国内首台金刚石氮空位色心微波激射器,性能指标国际领先。化合物芯片技术团队荣获首届“国家卓越工程师团队”荣誉称号,“民用5G氮化镓”等两项科研成果再次荣获国家科技进步一等奖。落实战略能力提升部署,加快推动研究院科技创新融合布局,联合46所、47所、49所设立先进材料研发中心、集成电源研发中心、传感器研发中心,提升上下游创新资源配置效益,同谋划、重协同,加快突破关键核心技术。增强我院在产业链、供应链上的安全和韧性。我们以“韧”的毅力,深化产学研融合,加速推进技术成果转化,为产业发展提供持续动力引擎。

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  两度春秋,初心不改,重任在肩,实干为要。站在新的起点上,让我们始终沿着习近平总书记指引的方向,以更高站位、更强担当、更实举措,锐意进取、勇攀高峰,奋力谱写振兴民族半导体高质量发展新篇章,为实现高水平科技自立自强、建设科技强国作出新的更大贡献。

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