厚度0.5毫米，直径4英寸或6英寸，大小和一张CD光盘差不多，这样一片薄薄的碳化硅晶片，是新一代移动通信、新能源汽车、能源互联网等产业自主创新和转型升级的核心材料。这张“薄片”正从中国电科（山西）碳化硅材料产业基地生产出来。

　　党的十八大以来，习近平总书记三次到山西考察调研，要求“在转型发展上率先蹚出一条新路来”“在新基建、新技术、新材料、新装备、新产品、新业态上不断取得突破”。

　　中国电科加强同山西地方政府对接，把山西作为产业战略布局重点，聚焦第三代半导体材料和核心装备持续深耕，加快突破先进硅材料和化合物半导体材料原创技术，着力打造国内领先的半导体材料产业基地，助力山西第三代半导体产业加快集群成链。

　　一片碳化硅，打开百亿大市场。中国电科党组书记、董事长陈肇雄指出，要加强第三代半导体从材料、装备、工艺到元器件全链条产业化能力，打造产业集群。

　　“碳化硅晶锭生长条件苛刻，需要高温和高压生长环境。”技术专家表示，要想生产出高质量的碳化硅晶片，必须有自主创新的碳化硅生长装备。聚焦“大尺寸化、快速生产化、高良率化、全自动化、低能耗化”趋势，中国电科2所攻关形成第三代半导体核心装备研发、产业化和整线解决方案，基于自主研发的全自动碳化硅单晶生长设备，实现了高质量碳化硅单晶生长。

　　“现在，咱们使用的全套设备，都是自己研发、自己生产，相关配套产品和功能元器件能满足长期、稳定、可靠使用要求，同时节能效果好。”技术专家笑着说，产业化规模效应，降低了碳化硅晶片的成本，也不断促使碳化硅衬底质量提升。

　　走进山西转型综改示范区的中国电科（山西）碳化硅材料产业基地展厅，碳化硅粉料、单晶锭、晶片一字排开，闪烁着特有光泽。“一块直径4英寸的晶片可以生产1000个芯片，一块6英寸的晶片可以生产3000个芯片，直径越大的晶片更有优势。”技术专家表示。

　　近年来，电科材料技术团队掌握了碳化硅生长装备制造、高纯碳化硅粉料制备工艺，N型碳化硅单晶衬底和高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，解决了“切、磨、抛”等关键技术工艺“卡脖子”问题，形成了碳化硅粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线，有力支撑山西省第三代半导体产业链加快起势腾飞。