把碳化硅器件应用在新能源汽车上，能在保证汽车强度和安全性能的前提下，大大减轻汽车的重量，有效提升电动车10%以上的续航里程，减少80%的电控系统体积……今年以来，中国电科48所碳化硅外延炉出货量同比大幅增长。

　　在国产新能源汽车高速发展的带动下，国产碳化硅芯片制造装备迎来绝佳发展机遇。然而，碳化硅材料高熔点、高密度、高硬度的特性，使芯片具备了耐高压、耐高温、低损耗等优越性能，但也对芯片制造装备提出更为严苛的要求，碳化硅外延生长炉就是其中的专用核心装备。

　　碳化硅外延生长炉，主要用于在碳化硅晶圆衬底上生长同质外延材料，每一颗碳化硅芯片都是基于外延层制造的结晶。“外延工艺就跟冬奥会的冰面制造一样，相当于在‘衬底’上生长出符合要求的半导体‘冰面’。”48所技术专家表示，“冰面的好坏影响运动员的发挥，而外延层的优劣则将影响芯片的品质。因此，碳化硅外延生长炉是承接衬底和芯片制造的关键环节，直接影响芯片的等级和良率”。

　　早期国内碳化硅外延片研究和生产几乎全部依赖进口，48所通过自主研发，研制出完全对标国外设备性能的6英寸碳化硅外延炉，经过用户上线使用验证，设备的技术指标均达到行业应用的主流水平，有力支撑了国产碳化硅芯片产业的大规模快速发展。

　　随着国家第三代半导体技术创新中心（湖南）的实体化运行，48所以外延、注入、氧化、激活等专用装备为核心，结合立式扩散炉、PVD等通用设备和半导体芯片生产线建线经验，实现国内唯一从碳化硅外延到芯片核心设备的全覆盖，进一步助力国产碳化硅芯片制造“换道超车”。